Seonglae ChoGaN의 경우, 밴드 갭이 실리콘보다 상당히 높기 때문에 시간이 지남에 따라 훨씬 높은 전압을 전도
밴드 갭이 클수록 전류가 실리콘보다 GaN 형태의 칩을 더 빠르게 통과 할 수있어 처리 속도가 훨씬 빨라질 수 있음
실리콘에 비해 소형화 할 수있는 GaN 컴포넌트를 통해 더 많은 전력을 옮길 수 있기 때문에 여러 실리콘 컴포넌트에 의존하지 않고 GaN 컴포넌트에 더 많은 전력을 내장 할 수있어 충전기에 필요한 컴포넌트의 양이 줄어든다 충전기의 전체 크기가 더 작아 질 수 있음